КОМПЛЕКСНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ ZnSe, ОСАЖДЁННЫХ НА SiO₂/Si
Аннотация
В данной работе проведено комплексное исследование процессов синтеза и последующей термической обработки нанокристаллов селенида цинка (ZnSe), осажденных на трековых темплэйтах, выполненных на основе аморфного диоксида кремния (a-SiO₂), нанесённого на кремниевую подложку (Si). Для формирования нанокристаллической фазы использовался метод химического осаждения из раствора, осуществляемый при температуре 75 °C в течение 40 минут. Данный метод отличается простотой реализации, низкой стоимостью и возможностью контролируемого роста наноструктур на подложках с различной морфологией.
После синтеза осажденные образцы были подвергнуты высокотемпературному термическому отжигу при 800 °C с целью улучшения кристаллической структуры, изменения фазового состава и оптимизации электрофизических свойств материала. Структурные характеристики исходных и отожжённых образцов были проанализированы методом рентгеновской дифракции (РД). Результаты РД-анализа показали, что до термической обработки ZnSe присутствует преимущественно в виде кубической модификации с пространственной группой F-43m (№216), в то время как после отжига наблюдается переход к гексагональной фазе с пространственной группой P63mc (№186). Этот фазовый переход свидетельствует о значительном влиянии термической обработки на структуру материала на наноуровне.
В дополнение к структурным исследованиям были проведены измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) нанокристаллитов ZnSe как до, так и после термического отжига. Результаты анализа ВАХ позволили установить, что полученные полупроводниковые структуры обладают проводимостью n-типа, что обусловлено природой дефектов и примесей в кристаллической решётке ZnSe, а также условиями синтеза. Выявленные электрофизические свойства указывают на высокую перспективность использования синтезированных наноструктур ZnSe в качестве активных элементов в различных полупроводниковых приборах, включая сенсоры, фотодетекторы и элементы наноэлектроники.
Таким образом, проведённое исследование демонстрирует эффективность выбранного метода осаждения и термической обработки для целенаправленного получения нанокристаллических структур ZnSe с заданными параметрами, что открывает широкие возможности для их практического применения в современных технологиях микро- и оптоэлектроники.
Автор
Акылбекова Айман Дуйсембаевна
DOI
https://doi.org/10.48081/HYNG1295
Ключевые слова
ZnSe нанокристаллы, трековые шаблоны SiO₂/Si, химическое осаждение, темплэйтный метод, рентгенодифракция, вольт-амперная характеристика
Год
2025
Номер
Выпуск 3
Для цитирования:
Акылбекова Айман Дуйсембаевна КОМПЛЕКСНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ ZnSe, ОСАЖДЁННЫХ НА SiO₂/Si // Вестник Торайгыров университета Серия: физика, математика и компьютерные науки - 2025 - №3 - С. 74 – 91. https://doi.org/10.48081/HYNG1295
Скопировано!