ХИМИЯЛЫҚ ТҰНДЫРУ ӘДІСІ АРҚЫЛЫ SiO2/Si ТРЕК ШАБЛОНДАРЫНДА АЛЫНҒАН CdS НАНОСЫМДАРЫНЫҢ ҚҰРЫЛЫМДЫҚ СИПАТТАМАЛАРЫ
Аннотация
Бұл мақалада CdS наносымдарын SiO2/Si трэк темплейтінде алудың химиялық тұндыру әдісін қарастырамыз. SiO2/Si шаблондары n-типті Si субстратының бетінде қалыңдығы 700 нм кремний диоксиді пленкасы термиялық түрде дайындалды, Xe 200 МэВ жылдам ауыр иондарымен сәулелендіру арқылы, шаблондарда флюенциясы 108 см-2 болатын нанокеуектер пайда болады. SiO2/Si шаблоны бетінде түзілген нанокеуектерді кадмий сульфидімен толтыру химиялық тұндыру әдісі арқылы жүзеге асты. Химиялық тұндырудан кейін, нанокеуектердің көлемін және олардың толтырылу дәрежесін анықтау үшін сканерлеуші электрондық микроскоп (СЭМ) қолданылды. СЭМ талдаулар нәтижесінде 30 минуттық химиялық тұндырудан кейін CdS наносымдарымен толтырылу дәрежесі шамамен 85-90 % құрады және нанокеуектердің орташа диаметрі 260 нм тең. Наносымдардың құрылымдық зерттеу нәтижелерінен анық болғандай, симметрия тобы орторомбты құрылымы бар CdS нанокристалдарының түзілуін көрсетті. Бөлме температурасындағы фотолюминесценция спектрі өлшеніп, орталықтары 2.53 эВ, 2.45 эВ және 2.37 эВ энергияларына жақын сәулелену жолақтары анықталды. Бұл спектрлік жолақтар кадмий сульфиді наносымдарының түрлі кристалдық ақауларына және олардың өлшемдік эффектілеріне байланысты пайда болғандығын көрсетеді. Алынған нәтижелер CdS наносымдарын трэк темплейтті әдіспен алудың тиімділігін және оларды оптоэлектрондық құрылғыларда қолдану әлеуетін дәлелдейді.
Автор
Мантиева Кыздархан Аскаровна
Даулетбекова Алма Кабденовна
Баймуханов Зейін Каирбекович
Акилбеков Абдираш Тасанович
Базарбек Асыл-Дастан Базарбекұлы
DOI
https://doi.org/10.48081/EYEQ3153
Ключевые слова
тэмплейтті синтез SiO2/Si
химиялық тұндыру
электрохимиялық тұндыру
нанокристалл CdS
рентгендік құрылымдық талдау
Год
2025
Номер
Выпуск 2
Для цитирования:
Мантиева Кыздархан Аскаровна, Даулетбекова Алма Кабденовна, Баймуханов Зейін Каирбекович, Акилбеков Абдираш Тасанович, Базарбек Асыл-Дастан Базарбекұлы ХИМИЯЛЫҚ ТҰНДЫРУ ӘДІСІ АРҚЫЛЫ SiO2/Si ТРЕК ШАБЛОНДАРЫНДА АЛЫНҒАН CdS НАНОСЫМДАРЫНЫҢ ҚҰРЫЛЫМДЫҚ СИПАТТАМАЛАРЫ // Вестник Торайгыров университета Серия: физика, математика и компьютерные науки - 2025 - №2 - 263-272 Б. https://doi.org/10.48081/EYEQ3153
Скопировано!